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宝融优势代理锴威特(CONVERT)品牌MOS管(场效应管)
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宝融优势代理锴威特(CONVERT)品牌MOS管(场效应管)
联系人:
邓立
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25090844
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0755-82020109
手机号码:
13510700658
Email地址:
sales@brgcn.com
公司地址:
广东省深圳市宝安区新桥街道上星社区上星路万科星宸大厦第1栋1601室
产品介绍
宝融公司(B&R)优势代理销售苏州锴威特半导体股份有限公司(CONVERT品牌)全系列平面MOS管、快恢复高压MOSFET(FRMOS)、SiC功率器件、智能功率IC等产品。 Planar VDMOS 产品特点与技术优势 高可靠性,1000小时0失效 高温下低漏电,Idss小于10uA@150℃ 老化考核耐压变化小于5V EAS能力强 EMI指标裕度充裕 上机失效率低 FR VDMOS 产品特点与技术优势 集成快恢复体二极管 采用铂金重掺工艺制造 性能稳定,参数一致性好 的反向恢复电荷 应用领域 电机驱动 LLC拓扑等开关电源 逆变器 SJMOS 产品特点与技术优势 的损耗 高可靠性 易于应用 应用领域 适配器 UPS LCD&PDP TV PFC 太阳能 开关电源等 Trench MOS 通过采用进的沟槽栅工艺技术和的结构设计,锴威特实现了功率密度化,从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。同时,电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定,其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些的技术手段,MOSFET的FOM(Qg x Rdson)得以实现行业内的水平。 产品特点与技术优势 低FOM( Qg x Rdson ) 高可靠性 具有低的栅极电荷 应用领域 UPS 逆变器 交流/直流电源的同步整流 电机驱动 开关电源等 碳化硅二极管 相较于硅基快恢复二极管,碳化硅肖特基二极管具有极小的反向恢复时间及反向恢复电荷特性,有助于降低系统应用的功率损耗。由于碳化硅二极管的器件特性,不随结温提高而有所变化,对于系统应用可大幅降低传统快恢复二极管带来的电磁干扰问题,并提高系统的可靠性。 碳化硅MOSFET 碳化硅MOS管具备高频切换特性, 有助电力电子系统大幅缩减设计尺寸、提高功功率密度。相较于IGBT器件,碳化硅MOS管不产生拖尾电流,可有效改善开关损耗,提升系统效率。 Photo Triac(可控硅输出光电耦合器): 可控硅输出光电耦合器将一颗红外GaAs光电二极管和光敏可控硅组合封装。处于安全考虑,弱电和强电间需要进行隔离处理,而又需要弱电对强电进行控制,而光电耦合器是一种非常适合应用于这种场合的器件。 可实现5000V绝缘耐压过零和非过零两种方式可选 应用领域 空调、洗衣机等家电 办公设备 工业设备 电磁阀控制 AC电机控制 固态继电器 Photo MOS(MOSFET输出光电耦合器): 指在输入元件中采用LED,在输出元件中采用MOSFET的光电耦合器。和机械式继电器相比,大幅提高产品可靠性及寿命,并实现了小型化, 因此逐步取代机械继电器应用于各个领域。 应用领域 太阳能发电系统 蓄电池系统 测量仪器 OA设备 工业设备 医疗设备 固态继电器 FRED(超快恢复二极管): 白金重掺少子寿命控制技术 Polyimide钝化结构 超快恢复时间 软恢复特性 正向压降优化 175C工作结温 应用领域 电机驱动续流二极管 PFC 逆变器 IGBT续流二极管测量仪器 开关电源 IGBT 产品特点与技术优势 采用的Trench FS技术 低饱和压降 低开关损耗 正温度系数易于并联 注:* 表示产品研发中 Ready RC IGBT 应用领域 交直流电机驱动 不间断电源 电磁炉 逆变器 开关电源等 Half Bridge Driver IC 产品概述 半桥驱动系列芯片内部集成电平转换电路,将低压控制信号转换为高压驱动信号,兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点。内置动态dv/dt噪声消除电路和的高压电平转换电路提供了出色的抗干扰能力,可适应恶劣环境。提供各种保护和驱动能力以及独立的高/低侧通道和单输入通道可供用户选择,广泛应用于电机驱动、开关电源等多种应用领域。 应用领域 交直流电机驱动 变频家电 智能家居、机器人 电动车 功率MOS/IGBT驱动 消费电子 60V单相半桥驱动芯片 产品概述 CSV5060 是一款可驱动和低端N 沟道MOSFET 的高压栅极驱动芯片,可用于同步降压和半桥/全桥拓扑中。悬浮电压的工作电压可以高达60V,工作频率可以达1MHz。 CSV5060 内部集成了逻辑输入信号处理电路、死区时间控制电路、使能控制电路、欠压锁死电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 应用领域 电机驱动器 半桥/全桥转换器 功率MOS驱动 消费电子 主要特性 高侧悬浮电压+60V 输出电流能力+5A/-5A 高侧/低侧独立的欠压保护 闭锁功能,防止上、下功率管同时导通 内置死区时间保护,死区时间可通过外部电阻调整 使能控制功能 输出与输入同向,低端输出与输入反向 DFN3x3-10L和MSOP10封装
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